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J-GLOBAL ID：201802212386640029   整理番号：18A0728871

低バンドギャップ歪(Si)Ge(Sn)半導体上のゲートスタックとNi(SiGeSn)金属接触形成【JST・京大機械翻訳】

Gate stack and Ni(SiGeSn) metal contacts formation on low bandgap strained (Si)Ge(Sn) semiconductors

著者 (9件)： Buca D. (Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany) ,  Schulte-Braucks C. (Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany) ,  von den Driesch N. (Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany) ,  Tiedemann A. T. (Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany) ,  Breuer U. (Central Division of Analytical Chemistry (ZCH), Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany) ,  Hartmann J.M. (CEA, LETI, Minatec Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Zaumseil P. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Mantl S. (Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany) ,  Zhao Q.T. (Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IWJT  ページ： 1  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeSnは,2つの世界の大部分を作るための有望な材料である。(i)高Sn含有量に対するその直接バンドギャップは高移動度と十分光学特性をもたらす;(ii)CMOS互換材料として,IV族半導体超大規模集積の成熟から利益を得た。しかし,トンネルFETにおけるMOSFETまたは直接バンドギャップにおける高キャリア移動度の利点は,高品質,スケール化および低欠陥ゲート酸化物および金属接触との組合せにおいてのみ使用できる。本研究では,(i)高Sn含有量の直接バンドギャップGeSn合金上のMOSキャパシタの作製と特性化,および(ii)低抵抗率の金属接触の形成について報告する。Ni-スタノ-ゲルマニウム化の間のドーパント偏析によるSchottky障壁の調整についても簡単に議論する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  MOSFET ,  *スズ ,  キャリア移動度 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  *半導体 ,  LSI【IC】 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： MOSコンデンサ ,  ゲート酸化膜 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  高移動度 ,  直接バンドギャップ ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： バンドギャップ ,  歪 ,  Si ,  Ge ,  Sn ,  ゲートスタック ,  Ni