文献

J-GLOBAL ID：201802212562638903   整理番号：18A0194122

Samsung mm2,8Gb NANDフラッシュメモリの電子照射【Powered by NICT】

Electron Irradiation of Samsung 8-Gb NAND Flash Memory

著者 (5件)： Irom Farokh (Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Edmonds Larry D. (Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Allen Gregory R. (Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Kim Wousik (Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Vartanian Sergeh (Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65  号： 1  ページ： 27-33  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Samsung8Gb単一レベルセルNANDフラッシュメモリの種々のエネルギーでの電子照射の結果を報告した。電子曝露からビット誤りの割合は~60Co総イオン化線量(TID)測定からの結果と比較した。TIDは平衡用量(局所線量とは対照的に)である時,低エネルギー(<2MeV)での電子照射は同じTIDレベルで~60Coガンマ線曝露よりもビットアップセット引き起こす。電子エネルギーが減少するとビットアップセットは増加の比較は同じ平衡用量レベルで行った。特に,60MeV電子が同じ平衡用量レベルで~60Coガンマ線曝露より害の少ない1MeV電子が損傷した。しかし,同じ局所線量レベルで行い,荷電粒子平衡は電子照射中の違反であることを示している比較する場合,すべての放射源は実質的に同一の結果を生成する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 符号誤り ,  電離放射線 ,  *フラッシュメモリ ,  γ線 ,  放射線量 ,  *電子照射
準シソーラス用語： 電子エネルギー ,  低エネルギー ,  *NANDフラッシュ ,  *NAND , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： NANDフラッシュメモリ ,  電子照射