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J-GLOBAL ID：201802212692563104   整理番号：18A1384897

3D NANDフラッシュアレイにおけるランダム電信雑音に及ぼすサイクリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Cycling on Random Telegraph Noise in 3-D NAND Flash Arrays

著者 (4件)： Nicosia Gianluca (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Milano, Italy) ,  Goda Akira (Process Research and Development, Micron Technology Inc., Boise, ID, USA) ,  Spinelli Alessandro S. (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Milano, Italy) ,  Monzio Compagnoni Christian (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Milano, Italy)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 8  ページ： 1175-1178  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,三次元NAND Flashアレイにおけるランダム電信雑音(RTN)のサイクル依存性を調べた。実験結果は,サイクルが3-DアレイにおいてRTNに非常に弱い影響を持つことを明らかにした。このことから,これらのアレイの性能と信頼性における一般的な改善は,それらの平面的な前提に関して確認された。特に,10kのプログラム/消去サイクルの大きなサイクル線量でも,RTNのわずかな増加をもたらし,これは現象に寄与するトラップ状態の平均数の成長に起因する。単一トラップRTNゆらぎの振幅の統計的分布を示し,代わりに,サイクリングにより影響を受けず,サイクル線量に関係なく同じ温度感度を維持することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 信頼性 ,  ゆらぎ ,  温度感受性 ,  放射線量 ,  *三次元
準シソーラス用語： 統計分布 ,  *電信雑音 ,  *NAND , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  NANDフラッシュ ,  アレイ ,  電信雑音 ,  サイクリング