抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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いくつかの応用は,高温下で動作するためにマイクロ電気機械システムMEMSデバイスを必要とする。MEMS材料の特性を研究する以前の努力は,温度の上昇が破壊強度の低下をもたらすことを示した。本論文では,シリコン基板上に懸濁した3つの異なる薄膜窒化ケイ素ドッグボーン形状構造を用いて,引張強度試験を用いて温度の関数としてそれらの破壊強度を決定した。解析モデリングを用いて,ドッグボーンとそれらの基板間の熱膨張係数の差に起因する力に起因する応力に対する薄膜ドッグボーンの弾性抵抗を決定した。計算した力は,弾性係数の温度依存性と熱膨張係数を考慮することにより,これらの相互作用における温度の影響と2つの材料の機械的性質を組み込んだ。解析結果から,175nm窒化ケイ素薄膜の破壊強度は温度が250から500°Cに上昇すると289MPaから146MPaに減少することが分かった。他の研究と比較すると,これらの値は一貫した傾向を示し,従って,高温で動作するMEMSデバイスの破壊強度の決定のための簡単で有望なその場法としても示される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】