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J-GLOBAL ID：201802212801704146   整理番号：18A0612338

パルスNH_3により堆積したGaN中間層を持つIn_0 15Ga_0Ga0.85N可視光金属-semiconductor-金属光検出器【Powered by NICT】

In_0.15Ga_0.85N visible-light metal-semiconductor-metal photodetector with GaN interlayers deposited by pulsed NH₃

著者 (9件)： Wang Hongxia (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Zhang Xiaohan (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Wang Hailong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Lv Zesheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Li Yongxian (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Li Bin (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Yan Huan (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Qiu Xinjia (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Jiang Hao (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 489  ページ： 31-35  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスNH_3により堆積したGaN中間層を持つInGaN可視光金属-semiconductor-金属光検出器を作製し,特性化した。GaN中間層を挿入周期により,InGaN活性層の表面形態が改善され,相分離は抑制された。5Vバイアスにおいて,暗電流は中間層を挿入することにより7.0×10~ 11Aから7.0×10~ 13A。85.0mA/Wのピーク応答性は420nmと5Vバイアスで測定し,25.1%の外部量子効率に対応した。GaN中間層の挿入は,鋭いスペクトル応答遮断をもたらした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 活性層 ,  バイアス ,  *可視光 ,  *パルス ,  キャラクタリゼーション ,  *窒化ガリウム ,  相分離 ,  応答特性 ,  *光検出器 ,  暗電流
準シソーラス用語： スペクトル応答 ,  外部量子効率 ,  表面形態 ,  InGaN ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： B2半導体インジウム化合物 ,  B3光検出器 ,  A1相分離 ,  A1特性化

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  堆積 ,  GaN ,  中間層 ,  可視光 ,  光検出器