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J-GLOBAL ID：201802212954984896   整理番号：18A1876392

PEDOT:PSSゲートによる表面キャリア密度の制御:シリコン-誘電体界面再結合の研究への応用【JST・京大機械翻訳】

Controlling Surface Carrier Density via a PEDOT:PSS Gate: An Application to the Study of Silicon-Dielectric Interface Recombination

著者 (1件)： Bonilla Ruy S. (Department of Materials, University of Oxford, Parks Rd, OX1 3PH, Oxford, United Kingdom)
資料名： Solar RRL  (Solar RRL)
巻： 2  号： 10  ページ： e1800172  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3682A  ISSN： 2367-198X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,半透明PEDOT:PSSゲートを用いることにより,光コンダクタンス減衰測定中のシリコンの表面キャリア占有率を制御する技術を報告した。この技術の可能性を,SiO_2,SiO_2/SiN_x,a-Si/SiO_x/SiN_x,AlO_x,またはAlO_x/SiN_xのいずれかの誘電体スタック層で不動態化した,1[数式:原文を参照] cm n型フロートゾーンシリコンのキャリア依存表面再結合を特性化することによって実証した。Si-誘電体界面におけるキャリア密度は,漏れ電流にもかかわらず,重い反転から重い蓄積領域に制御された。これはシリコン表面における再結合活性に洞察を与えた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不動態化 ,  *誘電体 ,  *界面 ,  *ケイ素 ,  漏れ電流 ,  占有率 ,  電場効果 ,  *再結合 ,  キャラクタリゼーション ,  コンダクタンス ,  *キャリア密度
準シソーラス用語： 表面不動態化 ,  シリコン太陽電池 ,  結合活性 ,  表面再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電界効果 ,  光コンダクタンス減衰 ,  シリコン太陽電池 ,  表面不動態化 ,  表面再結合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： PEDOT ,  PSS ,  ゲート ,  キャリア密度 ,  シリコン ,  誘電体 ,  界面 ,  再結合 ,  研究 ,  応用