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J-GLOBAL ID:201802212965903069   整理番号:18A0190821

マイクロ波応用のためのAlGaN/GaNH EMTにおける自己加熱の実験的評価【Powered by NICT】

Experimental assessment of self-heating in AlGaN/GaN HEMTs for microwave application
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: SSLChina: IFWS  ページ: 200-203  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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SiC上に成長させたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおける自己加熱効果は室温から200°Cまでの温度で評価した。チャネル温度は二重パルス測定,二つの測定の間のドレイン電流の差に基づいた直流を迅速で簡単な電気的方法により抽出した。この技術を検証するために,実験結果を,二つの他の電気的方法と比較した。FEM熱シミュレーションは,その精度を示すために適用した。複雑な界面問題の熱的寄与は効果的なTBR層,熱伝導率は温度依存性により近似し,実験結果と一致するように調整した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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