文献

J-GLOBAL ID：201802213160166834   整理番号：18A1675279

高品質Al_0.95Ga_0.05Sbバッファ層を持つ歪んだIn_0.25Ga_0.75Sb量子井戸における高正孔移動度【JST・京大機械翻訳】

High hole mobility in strained In_0.25Ga_0.75Sb quantum well with high quality Al_0.95Ga_0.05Sb buffer layer

著者 (7件)： Roh IlPyo (Department of Electronics and Communications Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea) ,  Kim SangHyeon (Center of Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, South Korea) ,  Geum Dae-Myeong (Center of Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, South Korea) ,  Lu Wenjie (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 20139, USA) ,  Song YunHeub (Department of Electronics and Communications Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea) ,  del Alamo Jesus A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 20139, USA) ,  Song JinDong (Center of Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 9  ページ： 093501-093501-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来の単一チャネル相補型金属-酸化物-半導体回路用の高品質Al_0.95Ga_0.05Sbバッファ層を有する歪In_0.25Ga_0.75Sb量子井戸(QW)構造における高い正孔移動度を実証した。Al_0.95Ga_0.05Sbバッファ層は,低い基板漏れを達成し,良好なチャネル材料品質と高い正孔移動度を保証するために重要である。高い結晶品質と適切な電気的性質を得るために,分子線エピタクシーを用いて種々のSb有効フラックス条件でバッファ層を成長させた。X線回折,原子間力顕微鏡,Raman,Hall効果測定システムを用いて,結晶品質と電気的性質との関係を系統的に評価した。次に,この最適化バッファ層上で,In_0.2Al_0.8Sb/In_0.25Ga_0.75Sb/線形傾斜Al_0.8Ga_0.2Sb QW構造を成長させ,圧縮歪により高い正孔移動度を得た。さらに,圧縮歪と正孔移動度をRamanとHall効果測定システムによって測定した。結果は,In_0.25Ga_0.75Sb QWチャネルにおいて1.1%の圧縮歪値を示し,格子不整合から1.1%の理論値に非常に近く,In_0.25Ga_0.75Sb QWにおける報告された移動度の間で1170cm2/Vsの最高正孔移動度を示した。さらに,p型Fin-FETとして作製することができ,低S_minと高g_mの優れた電気特性を示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *量子井戸 ,  Hall効果 ,  最適化 ,  MBE成長 ,  チャネル ,  基板 ,  *移動度 ,  格子不整合 ,  X線回折 ,  半導体 ,  *バッファ層 ,  *品質
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  結晶品質 ,  *正孔移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高品質 ,  バッファ層 ,  量子井戸 ,  正孔移動度