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J-GLOBAL ID：201802213162433309   整理番号：18A2042345

3C-SiCと4H-SiCパワーMOSFETの比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of 3C-SiC and 4H-SiC Power MOSFETs

著者 (2件)： van Zeghbroeck Bart (University of Colorado at Boulder, Department of ECEE; Boulder, USA, 425 UCB) ,  Fardi Hamid (University of Colorado Denver; Boulder, USA, CO 80309-0425)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 774-777  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3C-SiCと4H-SiCパワーMOSFETの包括的比較を行い,素子のオン抵抗とスイッチング損失を定量化し比較した。この目的のために,利用可能な実験データまたはシミュレーションにより得られた実験データを用いて,関連する材料パラメータを収集した。これは,ドーピング密度の関数としてのバルク移動度,ドーピングの関数としての破壊場およびMOSFETチャネル移動度を含む。デバイスモデルを構築し,ブロッキング層のドーピング密度の関数として適切にスケールしたデバイスのオン抵抗と破壊電圧を計算するために用いた。SPICEモデルを構築し,スイッチング過渡現象とスイッチング損失を調べた。シミュレーションは,選択した材料パラメータに対して,600V3C-SiC MOSFETがオン抵抗を有し,デバイスのスイッチング損失として4H-SiC MOSFETの半分以下であることを示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MOSFET ,  移動度 ,  スイッチング損失 ,  固体素子モデル ,  オン抵抗 ,  ドーピング ,  スイッチング ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： スイッチング過渡現象 ,  絶縁破壊電圧 ,  チャネル移動度 ,  材料パラメータ ,  *パワーMOSFET ,  *4H-SiC ,  3C-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 3C-SiC ,  抵抗について ,  スイッチング ,  パワー ,  MOSFET ,  損失

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 3C-SiC ,  4H-SiC ,  パワーMOSFET