van Zeghbroeck Bart について
University of Colorado at Boulder, Department of ECEE; Boulder, USA, 425 UCB について
Fardi Hamid について
University of Colorado Denver; Boulder, USA, CO 80309-0425 について
Materials Science Forum について
MOSFET について
移動度 について
スイッチング損失 について
固体素子モデル について
オン抵抗 について
ドーピング について
スイッチング について
炭化ケイ素 について
スイッチング過渡現象 について
絶縁破壊電圧 について
チャネル移動度 について
材料パラメータ について
パワーMOSFET について
4H-SiC について
3C-SiC について
3C-SiC について
抵抗について について
スイッチング について
パワー について
MOSFET について
損失 について
トランジスタ について
3C-SiC について
4H-SiC について
パワーMOSFET について