文献

J-GLOBAL ID：201802213248367586   整理番号：18A1942088

高品質再構成可能な黒リンp-n接合【JST・京大機械翻訳】

High-Quality Reconfigurable Black Phosphorus p-n Junctions

著者 (6件)： Tian He (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Linsen (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Mohammad Mohammad Ali (School of Chemical and Materials Engineering, National University of Sciences and Technology, Islamabad, Pakistan) ,  Wang Xuefeng (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Yang Yi (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Ren Tian-Ling (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 11  ページ： 5118-5122  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-n接合はエレクトロニクスとフォトニクス応用の基本的な構成要素である。従来のp-n接合では,イオン注入後の固定ドーピングレベルにより,性能パラメータは調整できない。本論文では,再構成可能なp-nまたはn-p接合を,両極性黒リン(BP)および他の2-D材料,すなわち,グラフェンおよび六方晶窒化ホウ素(h-BN)に基づいて構築した。不活性環境における乾式移動法により,高品質グラフェン/h-BN/BP/h-BNサンドイッチ素子を作製した。グラフェンは局所バックゲートとして機能し,それはBPをn型またはp型材料に部分的に調整できる。BPチャネルの残りはバックゲートにより制御できる。BPカプセル化素子は1.08(p-n接合)と1.18(n-p接合)まで理想因子の高性能を可能にした。本論文で開発したデバイスは,以前に報告された再構成可能なWSe_2およびBPデバイスよりもバランスのとれた理想因子を有している。バックゲートとグラフェンゲートを調整することにより,BPデバイスは4つの動作象限,すなわちn-n,n-p,p-n,p-p接合に調整できる。さらに,BPの正孔移動度は室温で404cm~2/Vsであった。本研究は,BPヘテロ構造が高速再構成可能論理関数と回路に対して非常に有望であることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  *接合 ,  電子技術 ,  *PN接合 ,  グラフェン ,  高速度 ,  イオン注入 ,  チャネル
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  正孔移動度 ,  理想因子 ,  バックゲート ,  六方晶窒化ホウ素 ,  両極性 ,  フォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高品質 ,  再構成 ,  黒リン ,  p-n接合