文献

J-GLOBAL ID：201802213281933893   整理番号：18A0239874

平面デバイス形状を有する歪BiFeO_3薄膜における光伝導の厚さ依存性【Powered by NICT】

Thickness Dependence of Photoconductance in Strained BiFeO₃ Thin Films With Planar Device Geometry

著者 (13件)： Huang Zhifeng (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Li Peilian (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Fan Zhen (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Fan Hua (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Luo Qiuyuan (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Chen Chao (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Chen Deyang (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Zeng Min (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Qin Minghui (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Zhang Zhang (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Lu Xubing (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Gao Xingsen (Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China) ,  Liu Jun-Ming (Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, No. 22 Hankou Rd Gulou District, 210093 Nanjing, China)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 12  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201700301  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだBiFeO_3(BFO)膜における正方晶-三方晶(T R)多形相境界(PPBs)における効率的電荷分離の最近の発見は,大きな関心事であると,PPBはBFO平面光検出器の性能を高めることができるかどうかの疑問を提起した。に対処するために,著者らはLaAlO_3基板上に8~90nmの範囲の厚さをもつBFO膜,BFOは純粋なT相(PPBsなし)から発展する歪緩和によりT-R混合相(PPBs)を調製した。,比較的平面デバイス幾何学的配置を持つこれらのBFO膜の光伝導特性を調べた。光伝導は最初に増加し,次に膜厚の増加とともに減少することが分かった。特に,検出可能なPPBを含まない純粋なT相を含む50nm膜は最高の光伝導を示した。予想外の観測は,光伝導関連パラメータに及ぼす膜厚の増加と関連する相変化の影響を解析することによって理解することができる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光検出器 ,  三方晶系 ,  相境界 ,  正方晶系 ,  膜厚 ,  *薄膜 ,  電荷分離 ,  *光伝導 ,  相転移
準シソーラス用語： 混合相 ,  歪緩和 ,  *厚み依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： BiFeO3 ,  photoconductivity ,  平面光検出器 ,  多形相境界

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪 ,  薄膜 ,  光伝導 ,  厚さ依存性