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J-GLOBAL ID：201802213338421300   整理番号：18A2042325

1200V SiC MOSFETのTCADモデリング【JST・京大機械翻訳】

TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET

著者 (4件)： Lee K. (ON Semiconductor; Korea, South) ,  Buono Benedetto (ON Semiconductor; Sweden) ,  Domeij Martin (ON Semiconductor; Sweden) ,  Franchi Jimmy (ON Semiconductor; Sweden)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 689-692  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,1200V SiC MOSFETのTCADモデリングを示した。主な焦点はチャネル移動度のモデリングにあり,界面トラップと表面粗さによるCoulomb散乱を含む。Coulomb散乱に対して,界面トラッププロファイルを室温でのサブ閾値特性から外挿し,一方,表面粗さによる散乱を高ゲートバイアスでの移動特性と比較することにより適合させた。伝達特性と出力特性の測定との比較も示した。結果は,温度上昇による閾値電圧の減少と出力特性の温度依存性を適切にモデル化することを示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  *炭化ケイ素 ,  シミュレーション ,  Coulomb散乱 ,  *モデリング ,  *MOSFET ,  表面粗さ
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  出力特性 ,  伝達特性 ,  ゲートバイアス ,  サブ閾値 ,  界面トラップ ,  チャネル移動度 ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 温度 ,  チャネル移動度 ,  TCADシミュレーション ,  4H-SiC ,  MOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  MOSFET ,  TCAD ,  モデリング