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J-GLOBAL ID：201802213533484829   整理番号：18A1136313

光子照射による白金/酸化ケイ素界面での白金シリサイドの合成【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of platinum silicide at platinum/silicon oxide interface by photon irradiation

著者 (14件)： Sato K. (Research Center for Ultra-High Voltage Electron Microscopy, Osaka University, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Sato K. (Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Yasuda H. (Research Center for Ultra-High Voltage Electron Microscopy, Osaka University, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Yasuda H. (Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Ichikawa S. (Research Center for Ultra-High Voltage Electron Microscopy, Osaka University, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Imamura M. (Synchrotron Light Application Center, Saga University, Honjo 1, Saga, 840-8502, Japan) ,  Takahashi K. (Synchrotron Light Application Center, Saga University, Honjo 1, Saga, 840-8502, Japan) ,  Hata S. (The Ultramicroscopy Research Center, Kyushu University, Motooka, Fukuoka, 819-0395, Japan) ,  Hata S. (Department of Advanced Materials Science and Engineering, 6-1 Kasugakoen, Kasuga-shi, Fukuoka, 816-8580, Japan) ,  Matsumura S. (The Ultramicroscopy Research Center, Kyushu University, Motooka, Fukuoka, 819-0395, Japan) ,  Matsumura S. (Department of Applied Quantum Physics and Nuclear Engineering, Kyushu University, Motooka, Fukuoka, 819-0395, Japan) ,  Anada S. (Japan Fine Ceramics Center, Nanostructures Research Laboratory, Mutsuno, Atsuta, Nagoya, 456-8587, Japan) ,  Lee J.-G. (Powder & Ceramics Division, Korea Institute of Materials Science, Gyeongnam, Changwon, 642-831, South Korea) ,  Mori H. (Research Center for Ultra-High Voltage Electron Microscopy, Osaka University, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 154  ページ： 284-294  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光子照射によるPt/SiO_x界面での白金けい化物の合成を透過型電子顕微鏡を用いて調べた。白金けい化物,Pt_2Siは,680および140eV光子での照射により,Pt/SiO_x界面で形成されたが,80eV光子での照射では形成されなかった。エネルギー75keVの電子による照射によりけい化物形成も誘起された。光子照射によって形成されたケイ化物の量は,電子照射によって得られた量より低かった。光子と電子照射の両方によるけい化物形成は,非晶質SiO_xにおけるSi枯渇を伴った。実験結果は,けい化物形成が電子励起により誘起されることを示した。けい化物形成の可能な機構を結果に基づいて提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  *界面 ,  電子励起 ,  *ケイ化物 ,  *光子 ,  電子照射 ,  *ケイ素 ,  *酸化ケイ素 ,  *白金
準シソーラス用語： 一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 遷移金属ケイ化物 ,  シンクロトロン放射 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子バンド構造 ,  電子励起

分類 (1件)： 金属の放射線による構造と物性の変化  (BK16122N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光子 ,  白金 ,  酸化ケイ素 ,  界面 ,  シリサイド