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J-GLOBAL ID：201802213559856209   整理番号：18A1567713

Si/Ge界面における応力に及ぼす点欠陥の影響の分子動力学研究【JST・京大機械翻訳】

Molecular dynamics study of the effect of point defects on the stress at the Si/Ge interface

著者 (4件)： Chen Xian (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, ChongQing 400060, PR China) ,  Zhang Jing (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, ChongQing 400060, PR China) ,  Han Liang (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an 710071, PR China) ,  Tang Zhaohuan (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, ChongQing 400060, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 456  ページ： 43-48  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Si/Ge界面における応力分布と分子動力学シミュレーション法による点欠陥バッファ層の応力解放機構を調べた。結果は,Si/Ge界面における応力緩和がシミュレーションのX-Y面のサイズに密接に関連することを示した。Si/Ge界面近傍のGe膜に空孔欠陥を導入し,Si/Ge界面における応力を著しく減少させる点欠陥に富むバッファ層を形成した。さらに,点欠陥バッファ層はバッファ層と欠陥界面と呼ばれるGe膜の間に新しい界面をもたらし,Ge膜内の応力に大きな影響を及ぼす。さらに,バッファ層の厚さはSi/Ge界面と欠陥界面の両方で応力に影響する。バッファ層が界面応力に影響する機構も調べた。試験は,シリコン上の純Ge膜の成長への欠陥バッファ層の導入が,界面応力を低減するためにバッファ層の欠陥密度と厚さを構造化することにより転位欠陥の確率を低減できることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 欠陥密度 ,  構造形成 ,  *分子動力学 ,  *界面 ,  *ケイ素 ,  *点欠陥 ,  *ゲルマニウム ,  バッファ層 ,  応力緩和 ,  応力分布
準シソーラス用語： 界面応力 ,  応力解放 ,  分子動力学シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Si/Ge界面 ,  ストレス ,  点欠陥バッファ層 ,  分子動力学

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Ge ,  界面 ,  応力 ,  点欠陥 ,  分子動力学 ,  研究