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J-GLOBAL ID：201802213787178467   整理番号：18A2219531

GaAs基板上に成長させたホットLWIR T2SLS InAs/InAsSb光検出器の実証【JST・京大機械翻訳】

Demonstration of HOT LWIR T2SLs InAs/InAsSb photodetectors grown on GaAs substrate

著者 (9件)： Michalczewski K. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Kubiszyn L. (Vigo System S.A., 129/133 Poznanska Str., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland) ,  Martyniuk P. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Wu C.H. (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Sec.4, Roosevelt Rd., Taipei 10617, Taiwan) ,  Jurenczyk J. (Vigo System S.A., 129/133 Poznanska Str., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland) ,  Grodecki K. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Benyahia D. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Rogalski A. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Piotrowski J. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 95  ページ： 222-226  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バッファした半絶縁性GaAs基板上に成長させた高動作温度(HOT)長波長赤外放射(LWIR)タイプII超格子(T2SL)InAs/InAsSb光伝導体について報告した。素子の吸収体は300周期のT2SL InAs/InAsSbからなる。高分解能X線回折(HRXRD),光ルミネセンス(PL),Hall,光パラメトリック発振器(OPO)測定を示し,解析した。検出器は,210Kと230Kで,それぞれ9.8μmと10.4μmの50%カットオフ波長に達した。0.5Vバイアス下で210Kで24nsの時定数を観測した。210Kにおける~2.0×10~10cmHz~1/2/Wの検出能(D*)を達成した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光パラメトリック発振器 ,  高温 ,  超格子 ,  吸収体 ,  バイアス ,  波長 ,  *検出器 ,  レンズ ,  *ヒ化インジウム ,  *光検出器 ,  時定数 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： カットオフ ,  *アンチモン化ヒ化インジウム ,  *GaAs基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高温 ,  LWIR T2SLS InAs/InAsSb ,  光伝導体 ,  浸漬レンズ

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  成長 ,  LWIR ,  InAs ,  InAsSb ,  光検出器 ,  実証