文献

J-GLOBAL ID：201802213914110126   整理番号：18A2029305

二つのHfO_2/Al_2O_3/GeO_x/Ge MOSダイオードによる不揮発性三成分含有量アドレス可能メモリ(TCAM)【JST・京大機械翻訳】

Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory (TCAM) with Two HfO₂/Al₂O₃/GeO_x/Ge MOS Diodes

著者 (8件)： Zhang Yi (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Chen Bing (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Dong Wenfeng (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Liu Wei (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Xu Shun (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Cheng Ran (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Lee Shiuh-Wuu (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Zhao Yi (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSI Technology  ページ： 105-106  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つのMOSダイオードのみを用いて,世界第一の三元三成分三元アドレス可能メモリ(TCAM)セルを提案し,実証した。ダイオードは,簡単なHfO_2/Al_2O_3/GeO_x/Geサブ構造を有し,完全CMOS互換プロセスにより作製できた。非常に薄いGeO_x界面層の採用により,ダイオードは優れた抵抗スイッチングと整流特性を示した。さらに,TCAMセルとアレイを2つのダイオードを接続したバックツーバックで構築した。最後に,並列マルチデータ探索のための良く機能する8つの16HfO_2/Al_2O_3/GeO_x/Ge-サブTCAMアレイを実証した。この新しいダイオードベースのセル構造は,将来のエネルギーおよび面積効率的なTCAM応用に対して非常に有望である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  整流 ,  CMOS ,  *記憶装置 ,  データ探索 ,  *ダイオード ,  可変容量ダイオード
準シソーラス用語： 面積効率 ,  抵抗スイッチング ,  界面層 ,  *TCAM ,  アドレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  MOSダイオード ,  不揮発性 ,  含有量 ,  アドレス ,  TCAM