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J-GLOBAL ID：201802214151354398   整理番号：18A2163245

GaN/AlN 2D正孔ガスに基づく高オン電流を持つゲートリセスEモードpチャネルHFET【JST・京大機械翻訳】

Gate-Recessed E-mode p-Channel HFET With High On-Current Based on GaN/AlN 2D Hole Gas

著者 (9件)： Bader Samuel James (Department of Applied and Engineering Physics, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Chaudhuri Reet (Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Nomoto Kazuki (Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Hickman Austin (Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Chen Zhen (Department of Applied and Engineering Physics, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Then Han Wui (Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Muller David A. (Department of Applied and Engineering Physics, Kavli Institute, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Xing Huili Grace (Department of Electrical and Computer Engineering, Materials Science and Engineering, Kavli Institute, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Jena Debdeep (Department of Electrical and Computer Engineering, Materials Science and Engineering, Kavli Institute, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 12  ページ： 1848-1851  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能pチャネルトランジスタは広バンドギャップエレクトロニクスにおいて効率的な相補回路を実現するために重要であるが,このようなデバイスに関する進歩は広ギャップ半導体における正孔操作の固有の課題によりそれらの強力な電子ベースの対応物の背後に遅れている。材料成長における最近の進歩に基づいて,本研究では,GaN/AlNワイドバンドギャップp-FET構造に対するオン電流(10mA/mm)とオン-オフ変調(4次)の両方における同時記録をセットした。コンパクトな解析的pFETモデルを導出し,その結果を文献中の種々の代替案に対してベンチマーク化し,次世代小型高出力デバイス用の集積ワイドバンドギャップCMOSを可能にするヘテロ構造トレードオフを明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  バンドギャップ ,  CMOS ,  *窒化ガリウム ,  *チャネル ,  電子技術 ,  *二次元 ,  *窒化アルミニウム ,  ベンチマーク ,  *正孔 ,  トランジスタ ,  半導体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  同時記録 ,  ワイドバンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  AlN ,  2D ,  正孔 ,  高 ,  ゲート ,  チャネル ,  HFET