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J-GLOBAL ID：201802214308689640   整理番号：18A1597004

誘導負荷ターンオフ中の深い酸化物トレンチSOI横方向IGBTのためのV_CEプラトーの最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of ${V}_{¥text{CE}}$ Plateau for Deep-Oxide Trench SOI Lateral IGBT During Inductive Load Turn-OFF

著者 (9件)： Zhang Long (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhu Jing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Cao Shilin (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Ma Jie (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Li Shaohong (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Liu Siyang (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhao Jianfeng (School of Electrical Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Shi Longxing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 9  ページ： 3862-3868  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導負荷ターンオフ中の500V深酸化物トレンチ(DOT)シリコン-オン-絶縁体横絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(SOI-LIGBT)のコレクタ-エミッタ電圧(V_CE)プラトーを研究し,ターンオフ損失(E_OFF)を低減することを目的として初めて最適化した。V_CEプラトーの機構をTCADシミュレーションによって明らかにした。従来のDOT SOI-LIGBTでは,DOT(領域I)の下のシリコン領域に蓄積された多数の蓄積されたキャリアは,消耗層の拡張を妨げ,ターンオフ中にV_CEの上昇を減速させ,プラトー相をもたらす。V_CEプラトーを短くするために,二重制御可能な垂直フィールドプレート(CPF)を有する新しいDOT SOI-LIGBTを提案した。二重CPFはDOTに配置され,それらの電気ポテンシャル(V_F1とV_F2)はスクロール抵抗ポリシリコン充填板との接続を通して制御される。V_F1とV_F2を調整することによって,領域Iにおける保存されたキャリアの加速された枯渇と抽出を実現することができて,短いV_CEプラトー期間をもたらした。V_CEプラトー持続時間は,V_F1=0VとV_F_2=0.5V_CEで,従来のSOI-LIGBTの156nsから,提案したSOI-LIGBTの60nsまで減少できる。提案したDOT SOI-LIGBTは,2.96Vの同じV_ONにおいて,従来のDOT SOI-LIGBTよりもE_OFF59.2%低い値を達成した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁体 ,  *酸化物 ,  電位 ,  継続時間 ,  *IGBT ,  電圧 ,  シミュレーション ,  ポリシリコン ,  *最適化 ,  *ターンオフ
準シソーラス用語： フィールドプレート ,  TCAD ,  *トレンチ ,  *誘導性負荷 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘導負荷 ,  ターンオフ ,  酸化物 ,  トレンチ ,  SOI ,  横方向 ,  IGBT ,  最適化