文献

J-GLOBAL ID：201802214341826330   整理番号：18A0185771

ディープサブミクロンSTT-RAMのためのデータ細胞変動許容デュアルモードセンシング方法【Powered by NICT】

Data-Cell-Variation-Tolerant Dual-Mode Sensing Scheme for Deep Submicrometer STT-RAM

著者 (5件)： Na Taehui (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea) ,  Song Byungkyu (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea) ,  Kim Jung Pill (Advanced Technology, Qualcomm Inc., San Diego, CA, USA) ,  Kang Seung H. (Advanced Technology, Qualcomm Inc., San Diego, CA, USA) ,  Jung Seong-Ook (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻： 65  号： 1  ページ： 163-174  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0226B  ISSN： 1549-8328  CODEN： ITCSCH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン移動トルクランダムアクセスメモリ設計では,センシング方式は,性能と読み出しエネルギーの観点からボトルネックとなっている,必要な読み出し電流と時間は大きすぎる標的読取り収率を満足するためである。標的読取り収率は符号対符号データ細胞変異によって決定された基本的な読み出し降伏限界よりも大きい場合には,従来のデータ細胞変動耐性(DCVT)検出方式を,非現実的に高い性能とエネルギーオーバヘッドを必要とせずに標的読取り収率を満たすことができない。この問題を解決するために,本論文では,正しい検出が不確実な場合は正確な検出が保証される場合正常モードと例外モードにおいてまれにほとんど動作DCVTデュアルモードセンシング方式(DMSS)を提案した。デュアルモード戦略を用いて,DMSSは標的読取り収率を達成することができるが,性能とエネルギーオーバヘッドを軽減した。工業準拠45nmモデルパラメータを用いて,モンテカルロHSPICEシミュレーション結果は,提案したDMSSは3.2×高速読取時間と破壊自己参照センシング方式よりも,4.5倍より低い読取りエネルギーをもつ6.1シグマの読み出し収率を達成することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,  降伏 ,  変異 ,  電流 ,  シミュレーション ,  モンテカルロ法 ,  *基準モード ,  不確実性 ,  高速度
準シソーラス用語： HSPICE ,  モデルパラメータ ,  *デュアルモード ,  読出し ,  スピントルク ,  *ディープサブミクロン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： ディープサブミクロン ,  RAM ,  細胞 ,  許容