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J-GLOBAL ID：201802214435360665   整理番号：18A0178132

シリコンナノワイヤ電界効果トランジスタベースpHセンサの感度のナノワイヤサイズ依存性

Nanowire size dependence on sensitivity of silicon nanowire field-effect transistor-based pH sensor

著者 (7件)： LEE Ryoongbin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KWON Dae Woong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Sihyun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Sangwan (Ajou Univ., Suwon, KOR) ,  MO Hyun-Sun (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dae Hwan (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 12  ページ： 124001.1-124001.6  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,著者らは,シリコンナノワイヤ(SiNW)イオン選択性電界効果トランジスタ(ISFET)の電流感度におよぼすナノワイヤサイズの影響を調べた。作製した様々な長さと幅のSiNW ISFETにおけるpHに従うオン電流I_onと抵抗の変化を測定した。結果として,変化に対する相対電流として表される感度が,幅が減少するとともに改善されることが見いだされた。テクノロジーコンピューター支援設計(TCAD)シミュレーション解析を通じて,SiNWの幅が減少するとともに,変化に対する相対電流に対する幅依存性は,感度に対して,チャンネル幅に沿ったエッジ領域に位置するターゲット分子が,より強い影響をおよぼすという観測により説明された。さらに,感度に対する長さ依存性は,チャンネル長の関数として変化するチャンネル抵抗に対するソース/ドレイン抵抗を含む一定の寄生抵抗の抵抗比の観点から理解される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *pHセンサ ,  *感度 ,  依存性 ,  選択性 ,  CAD【計算機】 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： シリコンナノワイヤ ,  *シリコンナノワイヤFET ,  サイズ依存性 ,  イオン選択性 ,  TCAD ,  寄生抵抗

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (32件)：

• G.-J. Zhang and Y. Ning, Anal. Chim. Acta 749, 1 (2012).
• K.-I. Chen, B.-R. Li, and Y.-T. Chen, Nano Today 6, 131 (2011).
• Z. Li, Y. Chen, X. Li, T. I. Kamins, K. Nauka, and R. S. Williams, Nano Lett. 4, 245 (2004).
• M. M.-C. Cheng, G. Cuda, Y. L. Bunimovich, M. Gaspari, J. R. Heath, H. D. Hill, C. A. Mirkin, A. J. Nijdam, R. Terracciano, T. Thundat, and M. Ferrari, Curr. Opin. Chem. Biol. 10, 11 (2006).
• N. C. Tansil and G. Zhiqiang, Nano Today 1, 28 (2006).

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  pHセンサ ,  感度 ,  ナノワイヤ ,  サイズ依存性