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J-GLOBAL ID：201802214444842065   整理番号：18A0476004

最適化されたp-GaNゲートAlGaN/GaNH EMTの非意図的ドープしたGaNバッファ層におけるトラップ準位の影響【Powered by NICT】

Effects of the Trap Level in the Unintentionally Doped GaN Buffer Layer on Optimized p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs

著者 (9件)： Ge Mei (The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Cai Qing (The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Zhang Baohua (Department of Physics, Changji College, Changji, 831100, China) ,  Chen Dunjun (The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Hu Liqun (The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Xue Junjun (School of Electronic Science and Engineering, Nanjign University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Lu Hai (The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Zhang Rong (The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Zheng Youdou (The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201700368  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,p-GaNゲートAlGaN/GaNH EMT上のAlGaN障壁層厚さとAlモル分率の影響を調査し,最適化した構造を示した。二次元ドリフト拡散シミュレーションに基づいて,最適化されたデバイスの移動と出力特性に及ぼすUID GaNバッファ層におけるトラップ準位の効果について述べた。トラップ準位のエネルギーは伝導帯の底以下の0.28,0.33,0.4,0.58および0.9eVに設定した。トラップ準位の深さはオフ状態漏れ電流に影響し,オン状態I_D,ことが分かった。単一トラップレベルのShockley-Read-Hall再結合モデルはp-GaNゲートAlGaN/GaNH EMTに及ぼすUID GaNバッファにおける種々のトラップレベルの影響を解析した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アルミニウム ,  モル分率 ,  *ドーピング ,  HEMT ,  伝導バンド ,  二次元 ,  *窒化ガリウム ,  *バッファ層 ,  漏れ電流 ,  シミュレーション ,  *最適化
準シソーラス用語： オン状態 ,  オフ状態 ,  バリア層 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  p-GaNゲート ,  トラップ準位

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 最適化 ,  GaN ,  ゲート ,  AlGaN ,  EMT ,  意図 ,  ドープ ,  バッファ層 ,  トラップ準位