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J-GLOBAL ID：201802214730602719   整理番号：18A0242637

ヒステリシス最小1V動作2D TMDトランジスタのための高分子/酸化物二重層誘電体【Powered by NICT】

Polymer/oxide bilayer dielectric for hysteresis-minimized 1 V operating 2D TMD transistors

著者 (4件)： Yoon Minho (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea. [e-mail]) ,  Ko Kyeong Rok ,  Min Sung-Wook ,  Im Seongil
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 6  ページ： 2837-2843  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のエレクトロニクスに対するそれらの大きな影響にもかかわらず,二次元(2D)二カルコゲン化物半導体(TMD)に基づくトランジスタは誘電体/TMDチャネル界面に位置する欠陥トラップにより誘起されたヒステリシス特性に悩まされている。,チャネルと従来のSiO_2誘電体の間のヒドロキシル基フリー有機誘電体ジビニル-テトラメチルジシロキサン-ビス(ベンゾシクロブテン)(BCB),実際にそのような問題を解決するために,を導入した。著者らの結果は,nチャネルMoS_2とpチャネルMoTe_2トランジスタの電気ヒステリシスは疎水性Si基板上にBCB誘導体で処理した後,初期値の~20%以下に有意に低下したが,それらの移動度は二倍に増加したことを示した。このような改善は確かにヒドロキシル基遊離有機誘電体の使用に起因し,高密度界面トラップは親水性SiO_2に位置するヒドロキシル基に関連するからである。界面トラップの縮小のこの概念は30nm BCB/10nm Al_2O_3二層誘電体,1Vで動作する2D MoTe_2FETの安定な低電圧動作に拡張したBCB誘電体を用いた界面工学は2D TMDエレクトロニクスの将来を光沢化TMDベーストランジスタの高性能で安定な動作のために実用的な利点を提供すると結論した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  疎水性 ,  *酸化物 ,  *高分子 ,  電子技術 ,  *誘電体 ,  ヒドロキシ基 ,  半導体 ,  チャネル ,  移動度 ,  *トランジスタ ,  *二次元 ,  *ヒステリシス
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ヒステリシス ,  2D ,  TMD ,  トランジスタ ,  高分子 ,  酸化物 ,  二重層 ,  誘電体