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J-GLOBAL ID：201802214830236033   整理番号：18A1103490

複合エッチング加工技術を用いた基板表面への微小3次元構造アレイの作製

Fabrication of Arrays of the Three-dimensional Microstructures on a Substrate Using the Combined Etching Processes

著者 (4件)： 村上直 (九州工業大学 大学院情報工学研究院) ,  山本秀介 (九州工業大学 大学院情報工学研究院) ,  荒木一宏 (九州工業大学 大学院情報工学研究院) ,  伊藤高廣 (九州工業大学 大学院情報工学研究院)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 138  号： 6  ページ： 263-267(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 異方性エッチングは単結晶シリコン(SCS)基板上の三次元(3D)微細構造の作製のための有用な処理法である。本論文では,二種類の異方性エッチングプロセスを含む複合エッチングプロセスを用いて,3D凸微細構造アレイを作製した。垂直側壁を有するマイクロピラー構造のアレイを最初にSCSの深い反応性イオンエッチング(D-RIE)を用いて基板表面上に作製した。さらに,エッチング溶液中でマイクロピラーの異方性ウェットエッチングを行い,追加にエッチングされた3D微細構造の形状を調査した。SCSの異方性ウェットエッチングのみを用いて作製されたマイクロピラミッドアレイの作製時間を短縮するための複合エッチングプロセスの可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エッチング ,  *構造 ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  微細構造 ,  単結晶シリコン ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  異方性エッチング ,  *三次元構造 ,  マイクロピラー

著者キーワード (10件)： 異方による異方 ,  ウェによるウェ ,  ト によるト ,  単結晶シ ,  表面微小 ,  異方性エッチング ,  湿式エッチング ,  ドライエッチング ,  単結晶シリコン ,  表面微細構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• (1) M. Callie, Y. Chen, F. Marty, A. Pépin, and D. Quéré : “Microfabricated textured surfaces for super-hydrophobicity investigations”, Microelectronic Engineering, Vol. 78-79, pp. 100-105 (2005)
• (2) M. J. Kreder, J. Alvarenga, P. Kim, and J. Aizenburg : “Design of anti-icing surfaces: smooth, textured or slippery? ”, Nature Reviews Materials, Vol. 1, pp. 1-15 (2016)
• (3) M. Shikida, K, Sato, and H. Tanaka Ed.: “Etching for Micro/Nano fabrication”, CMC Publishing, pp. 4-6 (2009) (in Japanese)
• 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修:「マイクロナノデバイスのエッチング技術」, シーエムシー出版, 第1章 ウェットエッチングの基礎, pp. 4-6 (2009)
• (4) S. Murakami, R. Ohmori, S. Shimizu, and T. Ito : “Improvement of shape homogeneity in the surface microstructures fabricated by anisotropic etching on 4-inch silicon wafer”, IEEJ Trans. SM, Vol. 134, pp. 258-263 (2014) (in Japanese)

タイトルに関連する用語 (6件)： エッチング加工 ,  基板表面 ,  微小 ,  3次元構造 ,  アレイ ,  作製