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J-GLOBAL ID:201802214878106978   整理番号:18A1591560

Sn-Ag-Cu/Au/Pd(xP)/Ni(P)反応系の界面微細構造と機械的信頼性:P含有量効果【JST・京大機械翻訳】

Interfacial microstructure and mechanical reliability of the Sn-Ag-Cu/Au/Pd(xP)/Ni(P) reactive system: P content effects
著者 (6件):
資料名:
巻: 350  ページ: 874-879  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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AuとNi(P)膜の間のパラジウム膜,例えば純粋なPdまたはPd(P)の無電解析出は,過去10年間にわたるマイクロエレクトロニクス産業から大きな注目を集めてきた。x=0,3,4.5wt%のSn-3Ag-0.5Cu/Au/Pd(xP)/Ni(P)/Cu継手系のはんだ付け性と対応する機械的信頼性に及ぼすPの影響を調べた。電子プローブX線微量分析と電界放出透過型電子顕微鏡法の解析は,(Cu,Ni)_6Sn_5/(Ni,Cu)_3Sn_4/Ni_3P金属間化合物構造の三層がx=0wt%で界面で成長し,(Ni,Cu)_3Sn_4の成長がx=3と4.5wt%でNi_2SnPのそれによって置き換えられることを示した。高速ボールせん断試験において,P添加により誘起されたミクロ組織転移は脆性から延性への破壊モード変化を引き起こし,はんだ継手のせん断抵抗を増加させた。これらの知見は,Pd(P)膜中のP含有量が界面強度における重要な因子であり,適切な量のPがAu/Pd(xP)/Ni(P)表面仕上げのはんだ付け性に有益であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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ろう付  ,  固体デバイス製造技術一般 

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