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J-GLOBAL ID：201802215163360616   整理番号：18A1149845

V_thシフトSRAMセルTEGを用いた直接測定によるモンテカルロ解析【JST・京大機械翻訳】

Monte Carlo analysis by direct measurement using V_th-shiftable SRAM cell TEG

著者 (4件)： Yamaguchi Shogo (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka, JAPAN 820-8502) ,  Nishikata Daisuke (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka, JAPAN 820-8502) ,  Imi Hitoshi (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka, JAPAN 820-8502) ,  Nakamura Kazuyuki (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka, JAPAN 820-8502)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICMTS  ページ： 93-96  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SRAM動作のモンテカルロ解析を,実測定において,V-シフタSRAMセルTEG(VTST)を用いて行うことができる測定システムを開発した。メモリセルにおける6個のMOSFETに対して,個々の電圧シフト電圧を設定するための,電解コンデンサと機械的リレーを用いた動的電圧シフト回路(DVSC)は,プログラマブル外部電圧源を共有することを可能にする。SRAM機能試験と静的雑音マージン評価のためのモンテカルロ解析の測定結果は,シミュレーション結果と良く一致した。提案した方法は,多数のトランジスタを用いて最近提案されたSRAMにコンパクトに対処できる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  電圧変動 ,  計測システム ,  記憶素子 ,  MOSFET ,  *SRAM ,  電圧 ,  電解コンデンサ ,  *モンテカルロ法 ,  トランジスタ ,  シミュレーション ,  継電器 ,  *直接測定

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： シフト ,  SRAM ,  セル ,  TEG ,  直接測定 ,  モンテカルロ解析