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J-GLOBAL ID：201802215264555135   整理番号：18A0796460

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの動的性能に及ぼす多結晶AlN膜の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of polycrystalline AlN film on the dynamic performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

著者 (11件)： Zhang Dongliang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Cheng Xinhong (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Zheng Li (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Shen Lingyan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Wang Qian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Gu Ziyue (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Qian Ru (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Wu Dengpeng (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Zhou Wen (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Cao Duo (Department of Physics, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Yu Yuehui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 148  ページ： 1-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HEMTの作製プロセスの間,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)によって成長させたSiN_x膜は,通常,AlGaN/GaN表面を不動態化するために利用される。しかし,プラズマのエネルギーが高いPECVDは表面損傷を誘起する。プラズマ増強原子層堆積(PEALD)プロセスにおけるプラズマは穏やかで遠隔である。結果として,PEALDにより成長させたAlN膜をAlGaN/GaN表面上の不動態化層として調べた。PECVDにより成長させたPECVD SiN_xと比較して,850°Cの急速温度アニーリング(RTA)により成長させたAlN膜は,2DEG移動度16.4%,ピーク相互コンダクタンス38.6%,飽和ドレイン電流26.3%,静的オン抵抗19.2%を改善し,動的オン抵抗は,50Vオフ状態ストレスと200μs回復時間後に14%増加した。850°Cでのアニーリング過程はAlN膜多結晶構造を変化させ,AlN/GaNヘテロ接合で3.6×10~12cm-2の正分極電荷を発生させた。これは深準位トラップ帯電効果を補償し,電流崩壊と動的オン抵抗の増加を抑制した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマ ,  *多結晶 ,  *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  *移動度 ,  プラズマCVD ,  ヘテロ接合 ,  オン抵抗 ,  *窒化アルミニウム ,  電流 ,  焼なまし ,  二次元電子ガス ,  不動態化
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN HEMT ,  PEALD ,  RTA ,  多結晶AlN ,  分極電荷 ,  動的オン抵抗

分類 (2件)： 表面硬化熱処理  (WC03030E) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  動的性能 ,  多結晶 ,  AlN