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J-GLOBAL ID：201802215382695734   整理番号：18A1716707

緩和及び準安定状態におけるCu(In,Ga)Se_2太陽電池の性能に及ぼす前面接触層の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of front contact layers on performance of Cu(In,Ga)Se₂ solar cells in relaxed and metastable states

著者 (8件)： Koida Takashi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Nishinaga Jiro (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Ueno Yuko (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Higuchi Hirohumi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Takahashi Hideki (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Iioka Masayuki (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Shibata Hajime (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Niki Shigeru (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 26  号： 10  ページ： 789-799  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性酸化物(TCO)と透明酸化物半導体(TOS)層から成る前面接触層が,緩和状態と準安定状態におけるガラス/Mo/CIS/CdS/TOS/TCOを持つCu(In,Ga)Se_2(CIGS)太陽電池の性能に及ぼす影響を研究した。照射下でのアニーリング後に,KFとNaFのポスト堆積処理によるCIGS太陽電池は,短絡電流密度の準安定な減少により,開回路電圧,充填因子,および結果としての変換効率の準安定な増加を示した。これらは部分的にCIGS層における準安定アクセプタ密度の増加に起因し,空間電荷幅の減少により室温でも1日安定である。容量-電圧測定により評価した正味アクセプタ密度は,TOS/TCO層に依存して大きく変化するが,開回路電圧は同一であることを見出した。一方,暗所でのアニーリングにより作製した緩和状態において,TES/TCO層に関係なく,正味アクセプタ密度と開回路電圧の両方に有意差は観測されなかった。結果は,CdS/CIGSヘテロ接合が準安定状態でn+/p接合としてもはや処理できず,評価したアクセプタ密度がCdS層の異なる電位分布から生じる大きな差を持つ見掛け値であることを示唆した。これはTOS/CdSとTCO/CdS接合に関係した。さらに,TOS/TCO層はそれらの光学定数と膜厚により短絡電流密度に大きく影響した。提示した結果は,準安定状態で動作する太陽電池におけるCdS/TOS/TCO層の設計の重要性を強調した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学定数 ,  ガラス ,  硫化カドミウム ,  *準安定状態 ,  接合 ,  膜厚 ,  *太陽電池 ,  ヘテロ接合 ,  *緩和現象 ,  焼なまし ,  アクセプタ ,  変換効率 ,  短絡電流密度 ,  透明導電性酸化物
準シソーラス用語： 開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： アモルファス ,  黄銅鉱化合物 ,  In_3 ,  転移可能性 ,  酸化物半導体 ,  太陽電池 ,  透明導電性酸化物

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 緩和 ,  準安定状態 ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  前面 ,  接触層