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J-GLOBAL ID：201802215426640888   整理番号：18A2107924

オルトケイ酸テトラエチルを用いたホットワイヤCVDによる発光性シリコンオキシカーバイド薄膜:チャンバー圧力と堆積後アニーリングの役割【JST・京大機械翻訳】

Luminescent Silicon Oxycarbide Thin Films via Hot-wire CVD using Tetraethyl Orthosilicate: Role of the Chamber Pressure and Post-deposition Annealing

著者 (3件)： Ramos-Serrano J. R. (Programa de Nanociencias y Nanotecnologi ́a, CINVESTAV-IPN, Me ́xico City, Me ́xico) ,  Matsumoto Y. (Departamento de ingenieri ́a ele ́ctrica, CINVESTA-IPN, Me ́xico City, Me ́xico) ,  Morales C. (Centro de investigacio ́n en dispositivos semiconductores, BUAP, Puebla, Me ́xico)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CCE  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前駆体としてオルトケイ酸テトラエチルを用いたホットワイヤ化学蒸着法により堆積した発光性シリコンオキシカーバイド薄膜の観察について報告した。さらに,膜の特性に及ぼす酸素および水素環境におけるチャンバ圧力および蒸着後熱アニーリングの影響を研究した。全ての堆積したままの試料は青色領域に中心を持つ強い広い発光バンドを示した。0.3と0.5Torrで堆積した試料は高い表面均一性を示した。X線回折測定は,ナノ結晶相の存在を示さなかったので,著者らは,主に酸素欠乏中心,および水素と炭素関連欠陥に関連する,シリコン酸化物マトリックス中の欠陥に対する発光バンドの原因となった。酸素と水素中での熱アニーリングの後,試料は放射欠陥の不動態化のために発光強度の著しい減少を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ナノ結晶 ,  酸素欠乏 ,  *発光 ,  不動態化 ,  化学蒸着 ,  *薄膜 ,  水素 ,  *焼なまし ,  前駆体 ,  酸素 ,  X線回折
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  *ホットワイヤ ,  *シリコンオキシカーバイド ,  *オルトケイ酸 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (8件)： オルトケイ酸テトラエチル ,  ホットワイヤCVD ,  シリコンオキシカーバイド ,  薄膜 ,  チャンバー ,  堆積 ,  アニーリング ,  役割