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J-GLOBAL ID：201802215437747556   整理番号：18A1567762

表面吸着と脱着により影響された超薄InGaN膜におけるエネルギーバンド傾斜【JST・京大機械翻訳】

Energy band tilt in ultra-thin InGaN film affected by the surface adsorption and desorption

著者 (18件)： Liu Wei (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Liu Wei (School of Software and Microelectronics, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Yang Jing (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhao Degang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhao Degang (School of Electronic, Electrical and Communication Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Jiang Desheng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhu Jianjun (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhu Jianjun (School of Electronic, Electrical and Communication Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Chen Ping (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Liu Zongshun (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Liang Feng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Liu Shuangtao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Xing Yao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhang Liqun (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China) ,  Wang Wenjie (Microsystem & Terahertz Research Center, Chinese Academy of Engineering Physics, Chengdu 610200, China) ,  Li Mo (Microsystem & Terahertz Research Center, Chinese Academy of Engineering Physics, Chengdu 610200, China) ,  Zhang Yuantao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130023, China) ,  Du Guotong (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130023, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 456  ページ： 487-492  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNキャップ層の有無によるInGaN超薄膜のルミネセンス特性を温度依存光ルミネセンス(TDPL)測定により調べた。いくつかの一定温度でのTDPL測定の間,裸のInGaN膜のPLスペクトルは時間通過による異常な減衰と赤方偏移を示すことが実験的に観察された。これは,InGaN表面上の吸着負電荷が極薄InGaN膜の圧電場に部分的に対抗するため,裸のInGaN膜の表面上の負に帯電した粒子の脱着によるInGaN層の量子閉じ込めStark効果の増強に起因すると考えられる。しかし,GaN被覆InGaN超薄膜では,InGaN表面上の吸着と脱着過程がGaNキャップ層により遮蔽されるので,時間とともに異常なスペクトル変化が消失した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 負電荷 ,  光ルミネセンス ,  圧電気 ,  ルミネセンス ,  *吸着 ,  *窒化ガリウム ,  温度依存性 ,  赤方偏移 ,  *脱着 ,  超薄膜 ,  スペクトル ,  被覆
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  キャップ層 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaN膜 ,  光ルミネセンス ,  表面吸着と脱着 ,  荷電粒子

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面吸着 ,  脱着 ,  InGaN ,  エネルギーバンド