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J-GLOBAL ID：201802215597623011   整理番号：18A0312182

Al₂O₃結合層を介してシリコン-オン-インシュレータ(SOI)導波路回路上に集積した2μm InGaSb/GaSb量子井戸レーザの設計と解析

Design and Analysis of 2-μm InGaSb/GaSb Quantum Well Lasers Integrated Onto Silicon-on-Insulator (SOI) Waveguide Circuits Through an Al₂O₃ Bonding Layer

著者 (7件)： LI Xiang (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  WANG Hong (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  QIAO Zhongliang (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ZHANG Yu (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  NIU Zhichuan (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  TONG Cunzhu (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  LIU Chongyang (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 22  号： 6  ページ： ROMBUNNO.1500507.1-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高熱伝導率Al₂O₃結合層を通してSOI導波路回路上に集積した発光波長が約2μmのGaSb量子井戸(QW)レーザダイオードを設計した。結合前に,作製したFabry-Perot GaSb QWレーザは室温で連続波動作し,発光波長2019nmにおける閾値電流は37mAであった。テーパ構造を用いて,GaSbレーザ光を下層Si導波路へエバネセント結合した。ビーム伝搬法ソフトウェアを用いて光学モード分布シミュレーションを行い,光学結合効率を犠牲にせずに,テーパ構造を通してSi導波路に光を効率的に結合できることを示した。SiO₂結合層を用いた同じ構造と比べ,全熱抵抗が大幅に(約70%)低下した。

シソーラス用語： アンチモン化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *SOI構造 ,  光導波路 ,  酸化アルミニウム ,  *量子井戸レーザ ,  量子井戸 ,  *テーパ構造 ,  熱伝導率 ,  光学モード ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： 半導体量子井戸

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (12件)： Al2O3 ,  結合層 ,  シリコン ,  インシュレータ ,  SOI ,  導波路 ,  集積 ,  InGaSb ,  GaSb ,  量子井戸レーザ ,  設計 ,  解析