原子層堆積によって堆積した薄いAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中間層を持つ場合と持たない場合の金属/非極性m面ZnO接触

KIM Hogyoung; KIM Dong Ha; RYU Sungyeon; CHOI Byung Joon

文献

J-GLOBAL ID：201802215602917166 整理番号：18A0000061

原子層堆積によって堆積した薄いAl₂O₃中間層を持つ場合と持たない場合の金属/非極性m面ZnO接触

Metal/nonpolar m-plane ZnO contacts with and without thin Al₂O₃ interlayer deposited by atomic layer deposition

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資料名：
巻： 28 号： 20 ページ： 14974-14980 発行年： 2017年10月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

温度依存電流-電圧(I-V)測定を用いて,原子層堆積(ALD)によって調製したAl₂O₃中間層を持つAu/非極性m面ZnO Schottkyダイオードの電気特性を調べた。Au/ZnO接合と比較して,Au/Al₂O₃/ZnO接合は,より高い障壁高さとより高い整流比を持つことが分った。Au/Al₂O₃/ZnO接合の修正Richardsonプロットから,30.0Acm^-2K^-2の実効Richardson定数が得られ,その値は,n-ZnOの理論値32.0Acm^-2K^-2と近かった。透過型走査電子顕微鏡(STEM)結果から,ZnO表面の酸素含有層が,Al₂O₃層の膜品質を劣化することが示唆される。ZnO内部領域へのAu及びAl原子の相互拡散も,Au/ZnO接触の電気特性を変調した。

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半導体-金属接触

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原子層堆積によって堆積した薄いAl2O3中間層を持つ場合と持たない場合の金属/非極性m面ZnO接触

原子層堆積によって堆積した薄いAl₂O₃中間層を持つ場合と持たない場合の金属/非極性m面ZnO接触