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J-GLOBAL ID：201802215629654435   整理番号：18A0929777

単層WSe_2-MOS_2横ヘテロ接合の自己整列およびスケーラブル成長【JST・京大機械翻訳】

Self-Aligned and Scalable Growth of Monolayer WSe₂-MoS₂ Lateral Heterojunctions

著者 (8件)： Li Ming-Yang (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan) ,  Li Ming-Yang (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Pu Jiang (Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Huang Jing-Kai (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Miyauchi Yuhei (Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto, 611-0011, Japan) ,  Matsuda Kazunari (Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto, 611-0011, Japan) ,  Takenobu Taishi (Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Li Lain-Jong (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 28  号： 17  ページ： e1706860  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D層状ヘテロ構造は,それらの独特の光学的,輸送,および界面特性のために,集中的な興味を引き付けている。異種2D遷移金属ジカルコゲニドに基づく横方向縫合ヘテロ接合は,外部電圧を印加する必要がなく,真性p-n接合を形成する。しかし,このような横方向ヘテロ構造を持つデバイスを構築するためのスケーラブルなプロセスは報告されていない。ここでは,自己整合WSe_2-MOS_2単分子層横ヘテロ接合アレイを合成し,それらの発光デバイスを実証するために,拡張可能な戦略,二段階および位置選択化学蒸着を報告した。提案した作製プロセスは,高品質界面の成長と,WSe_2-MOS_2横方向ヘテロ接合におけるエレクトロルミネセンスの初めての成功した観察を可能にした。エレクトロルミネセンス研究により,一般的に信じられているタイプIIアラインメントよりも界面におけるI型アラインメントを確認した。この自己整合成長過程は,集積二次元回路応用にとって実用的に重要な,スケーラブルな方法で,様々な2D横方向ヘテロ構造を構築する方法を開く。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 成長段階 ,  単分子層 ,  界面 ,  *ヘテロ接合 ,  二次元 ,  電圧 ,  化学蒸着 ,  *自己整合 ,  アラインメント ,  エレクトロルミネセンス ,  *接合 ,  高品質 ,  発光素子 ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： 界面特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バンドアラインメント ,  横方向ヘテロ接合 ,  発光デバイス ,  自己整列およびスケーラブル成長 ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層 ,  ヘテロ接合 ,  自己整列 ,  成長