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J-GLOBAL ID：201802215690456098   整理番号：18A1066931

熱蒸発によるc-サファイア基板上のC8-BTBT層の成長と特性【JST・京大機械翻訳】

Growth and Characteristics of C8-BTBT Layer on C-Sapphire Substrate by Thermal Evaporation

著者 (6件)： Moh Aye M. (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan) ,  Khoo Pei Loon (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan) ,  Sasaki Kimihiro (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan) ,  Watase Seiji (Morinomiya Center, Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology (ORIST), Osaka, 536-8553, Japan) ,  Shinagawa Tsutomu (Morinomiya Center, Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology (ORIST), Osaka, 536-8553, Japan) ,  Izaki Masanobu (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 11  ページ： e1700862  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(C8-BTBT)を真空熱蒸着により単結晶(0001)Al_2O_3(C-サファイア)上に蒸着し,構造,形態,光学,電気特性に及ぼす層厚と調製温度の影響をX線回折,原子間力顕微鏡観察,光吸収測定,光照射の有無による抵抗率測定で調べた。C8-BTBT層は層厚と調製温度に関係なく(001)面外配向を有していた。C8-BTBT結晶粒はほぼ一定の高さを保ちながら基板表面に平行な方向に成長し,連続層はC8-BTBT粒の合体によって形成される。連続C8-BTBT層の粒径は調製温度の上昇と共に増加した。光学的バンドギャップエネルギーは層厚と調製温度に関係なく,3.32~3.35eVと推定できた。電気抵抗率は,粒径の増加により,調製温度の増加に伴い2.1×10~6から1.2×10~2Ωcmに減少し,光照射により42~28Ωcmに減少した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒 ,  光照射 ,  真空蒸着 ,  単結晶 ,  X線回折 ,  *サファイア ,  有機半導体 ,  電気抵抗率 ,  *蒸発 ,  電気特性 ,  層厚 ,  粒径 ,  光吸収
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： C8-BTBT ,  成長挙動 ,  有機エレクトロニクス ,  真空熱蒸発

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： C₈-BTBT

タイトルに関連する用語 (4件)： 蒸発 ,  サファイア基板 ,  C8 ,  成長