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J-GLOBAL ID：201802216142691735   整理番号：18A0845137

35GHzで42.8%電力付加効率を持つ高温リセスミリ波AlGaN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】

High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz

著者 (9件)： Zhang Yichuan (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wei Ke (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Huang Sen (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Xinhua (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zheng Yingkui (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Guoguo (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Chen Xiaojuan (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Yankui (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Xinyu (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 5  ページ： 727-730  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターでは,高温(HT)ゲートリセス技術を高性能ミリ波AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の製作に実装した。HT凹の低い損傷特性によって,422mS/mmの高い外因性相互コンダクタンス,2.4μmのソース-ドレイン分離による134Vの3端子絶縁破壊電圧,V_GS=-60Vにおける1.6×10~6A/mmの著しい低Schottkyゲート漏れ電流を達成した。それは,室温で凹んだゲートを持つHEMTより少なくとも2桁低い。0.2μmのT字型ゲート技術を採用することによって,81GHzの電流利得遮断周波数f_Tと194GHzのユニット電力利得周波数f_MAXを実現した。HT凹型AlGaN/GaN HEMTにおける電流崩壊は著しく抑制され,連続波モードにおいて35GHzで5.1W/mmの高出力電力密度と同様に42.8%の記録高電力付加効率に寄与した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *EHF波 ,  *HEMT ,  周波数 ,  連続波 ,  電流 ,  相互コンダクタンス ,  遮断周波数 ,  *電力付加効率 ,  *高温 ,  凹形
準シソーラス用語： 電力密度 ,  高出力 ,  電流利得 ,  絶縁破壊電圧 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電力付加効率 ,  ミリ波 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT