Kim Sang-Woo について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Nguyen Manh-Cuong について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Nguyen An Hoang-Thuy について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Choi Su-Jin について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Ji Hyung-Min について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Cheon Jong-Gyu について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Yu Kyoung-Moon について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Kim Jin-Hyun について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Cho Seong-Yong について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Choi Rino について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
IEEE Electron Device Letters について
チャネル について
電気的性質 について
ルビジウム について
バイアス について
酸化ジルコニウム について
ドーピング について
薄膜トランジスタ について
電流 について
結晶度 について
ゲート絶縁膜 について
閾値電圧 について
サブ閾値 について
電界効果移動度 について
酸化インジウム亜鉛 について
溶液処理 について
トランジスタ について
溶液処理 について
Rb について
ドープ について
酸化インジウム亜鉛 について
薄膜トランジスタ について