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J-GLOBAL ID：201802216457440106   整理番号：18A1620731

溶液処理Rbドープ酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Solution-Processed Rb-Doped Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors

著者 (10件)： Kim Sang-Woo (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Nguyen Manh-Cuong (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Nguyen An Hoang-Thuy (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Choi Su-Jin (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Ji Hyung-Min (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Cheon Jong-Gyu (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Yu Kyoung-Moon (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Kim Jin-Hyun (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Cho Seong-Yong (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Choi Rino (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 9  ページ： 1330-1333  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ジルコニウムゲート誘電体とIn-Zn-O(IZO)チャネル堆積を含むルビジウムドープ酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタ(TFT)を溶液プロセスを用いて作製した。RbドープIZO TFTの電気的特性は,Rbドーピングによる結晶性向上のために著しく改善された。最も高い電界効果移動度,オン/オフ電流比,およびサブ閾値勾配に達する最適Rbドーピング濃度を,2モル%のRbドーピング濃度で得た。Liドーピングと比較して,RbドープIZOトランジスタはバイアス応力の下で閾値電圧のより少ない変化を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  電気的性質 ,  *ルビジウム ,  バイアス ,  酸化ジルコニウム ,  *ドーピング ,  *薄膜トランジスタ ,  電流 ,  結晶度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  電界効果移動度 ,  *酸化インジウム亜鉛 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液処理 ,  Rb ,  ドープ ,  酸化インジウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ