文献

J-GLOBAL ID：201802216667135843   整理番号：18A1044876

7μmピッチ深トレンチ超接合プロセス開発【JST・京大機械翻訳】

7μm Pitch deep trench super junction process development

著者 (3件)： Zhu Zhimin (Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai, China) ,  Wang Fei (Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai, China) ,  Shen J. K. (Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETにおける超接合(SJ)プロセスの急速な発展によって,それはパワースイッチエリアにおいてますます広く使用されて,抵抗とスイッチ速度の性能はより低く,より速くなった。構造はますます圧縮される。SJ構造のピッチは,開発傾向に適合するためにますます狭くなり,したがって,より多くの全体的な金型を得ることができて,コストを減少させることができた。Huahong Grace(HHGRACE)は,それ自身の深いトレンチSJ MOSFETプラットフォームを開発して,技術開発傾向によってプラットフォームを維持するためにプロセスを最適化した。SJ MOSFETプラットフォームについては,L0(16μmピッチ@RSP24mohm-cm2),2.0(11pmピッチ@RSP18mohm-cm2),3.0(9μmピッチ@RSP Umohm-cm2)の3つの期間を通している。現在,HHGRACEは7μmピッチSJプロセス技術を開発しており,現在,RSP10mohm-cm2を得ることができる。本論文では,深いトレンチSJ開発の歴史と新しい方向について述べ,また,7μmピッチ深トレンチSJ構造のためのプロセス最適化の間の業績についても述べた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *MOSFET ,  高速度 ,  スイッチ ,  プロセス開発
準シソーラス用語： プロセス最適化 ,  *超接合 ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ピッチ ,  トレンチ ,  接合プロセス ,  開発