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J-GLOBAL ID：201802216832779013   整理番号：18A0159380

周辺金属-絶縁体ゲートを持つPbSiショットキークランプトランジスタの電子輸送特性【Powered by NICT】

Electronic transport properties of PbSi Schottky-clamped transistors with a surrounding metal-insulator gate

著者 (4件)： Zhang Lishu (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University, Jinan 250061, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Li Yifan ,  Li Tao ,  Li Hui
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 3  ページ： 1519-1527  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mooreの法則を維持する新素材の設計とFETの構築を必要とする。ここでは,拡張H ueckel枠内でMDシミュレーションとNEGF法を用いて周囲の金属-絶縁体ゲートを持つPbSiナノワイヤSchottkyクランプ形トランジスタの電子輸送特性を理論的に調べた。PbSiナノワイヤトランジスタのコンダクタンスはSchottky接触と共鳴透過ピーク,ゲート制御のためにバリスティックおよび対称性の特徴を示した。興味深いことに,PbSi(8,17)ナノワイヤFETは高いオン/オフ比を示し,EDDとEDPメトリックスで記述される原子間の典型的なSchottky接触であることが分かった。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *クランプ ,  シミュレーション ,  *絶縁体 ,  *トランジスタ ,  ナノワイヤ ,  対称性 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： メトリックス ,  ゲート制御 ,  共鳴透過 ,  Schottky接触 ,  ナノワイヤトランジスタ ,  新素材 ,  Mooreの法則 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 周辺 ,  絶縁体 ,  ゲート ,  電子 ,  輸送特性