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J-GLOBAL ID：201802217183358527   整理番号：18A0588562

物理的複製困難関数の65nm SOTB実現とボディバイアス制御による性能の改善【Powered by NICT】

A 65-nm SOTB implementation of a physically unclonable function and its performance improvement by body bias control

著者 (3件)： Hori Yohei (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Katashita Toshihiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Ogasahara Yasuhiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,物理的複製不可能関数(PUF)とPUFの性能に及ぼすSOTBのボディバイアスの影響のためのシリコン上の薄い埋込み酸化物(SOTB)デバイスを使用することの実現可能性を調べた。SOTBの低い変動性は,回路の超低電力動作が,それはPUFの性能低下を引き起こす可能性があるのが望ましい,PUFとは,デバイスの変動を利用してユニークなチップIDを生成させた。本論文では,初めてPUFのばらつきを減らすSOTBを使用することの実現可能性を報告した。65nm SOTBプロセスにおけるアービタPUFを作製し, 0.5~0.5Vの範囲で0.4~0.8Vとボディバイアスの範囲でコア電圧のためのPUF応答を測定した。SOTBはPUFの成功実現に用いることができることを示し,その性能をSOTBのボディバイアスを調整することによって改善することができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *複製 ,  ケイ素 ,  酸化物
準シソーラス用語： アービタ ,  性能劣化 ,  超低消費電力 ,  *基板バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 物理 ,  複製 ,  関数 ,  ボディバイアス