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J-GLOBAL ID：201802217652207300   整理番号：18A0431452

パルス測定によるセンシング層としてMoS_2によるSi FET型湿度センサの正確で安定な湿度センシング特性【Powered by NICT】

An accurate and stable humidity sensing characteristic of Si FET-type humidity sensor with MoS₂ as a sensing layer by pulse measurement

著者 (7件)： Shin Jongmin (School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea) ,  Hong Yoonki (School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea) ,  Wu Meile (School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea) ,  Bae Jong-Ho (School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea) ,  Kwon Hyuck-In (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Seoul, 156-756, South Korea) ,  Park Byung-Gook (School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea) ,  Lee Jong-Ho (School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 258  ページ： 574-579  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パルス方式センシング層としてMoS_2膜を用いたSi FET型湿度センサにおける安定な湿度センシング特性を得ることを実証した。H_2O分子とMoS_2膜間の反応を調べるために,伝達特性(I_D-V_CG)と過渡ドレイン電流挙動(I_D-t)はDC測定によりpMOSFETとnMOSFETセンサで測定した。パルススキームの影響を検証するために,パルスI-V(PIV)とI_D-tは相対湿度のパラメータとして測定した。FET型センサのI_DドリフトはFET型湿度センサの制御ゲート(CG)へのパルスを適用することにより効率的に除去できた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドリフト ,  *湿度 ,  MOSFET ,  *パルス ,  *湿度センサ ,  相対湿度 ,  *センサ
準シソーラス用語： nMOSFET ,  pMOSFET ,  ドレイン電流 ,  伝達特性 ,  *パルス測定 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Si-MOSFETセンサ ,  MoS_2 ,  湿度センサ ,  ドリフトフリー ,  パルス測定

分類 (2件)： 湿度測定,湿度計  (AD06020V) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス測定 ,  センシング ,  Si ,  FET ,  湿度センサ ,  湿度