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J-GLOBAL ID：201802217764359677   整理番号：18A2034619

VO_2膜におけるナノスケール高伝導相と低伝導相の共存の直接証拠【JST・京大機械翻訳】

Direct evidence for the coexistence of nanoscale high-conduction and low-conduction phases in VO₂ films

著者 (12件)： Feng Jiajun (Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Yang Cheng (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zhang Aihua (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Li Qiang (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Fan Zhen (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Qin Minghui (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zeng Min (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Gao Xingsen (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Lin Yuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Zhou Guofu (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Lu Xubing (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Liu J.-M. (Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 17  ページ： 173104-173104-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電性原子間力顕微鏡を用いて,酸化アルミニウム(Al_2O_3)基板上に蒸着した二酸化バナジウム(VO_2)膜のナノスケール伝導挙動を系統的に調べた。転移点T_m~68°Cにおける急峻な絶縁体-金属転移を示すマクロスケール抵抗-温度特性から,著者らの実験は,T_mを横切る広い温度窓(50K範囲)にわたるナノスケール高伝導と低伝導相の共存を実証した。さらに,高伝導相の面積(体積)分率は,転移点を横切る温度の上昇と共に増加した。ナノスケールで得られた電流-電圧データは,高伝導相が良好な金属ではないことを示した。温度がT_mを横切って増加すると,高伝導相のプローブ電荷輸送挙動は空間電荷制限電流により支配される機構からSchottky放出により支配される機構に変化することが分かった。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *転移温度 ,  酸化アルミニウム ,  基板 ,  空間電荷制限電流 ,  金属-絶縁体転移 ,  電流 ,  電圧 ,  プローブ
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  温度特性 ,  マクロスケール ,  二酸化バナジウム ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノスケール ,  伝導 ,  共存 ,  証拠