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J-GLOBAL ID：201802217843199637   整理番号：18A0073631

温度上のGaNとGaAsH EMTにおける異常としきい値電圧シフト【Powered by NICT】

Anomaly and threshold voltage shifts in GaN and GaAs HEMTs over temperature

著者 (3件)： Alim Mohammad A (Applied Physics, Electronic and Communication Engineering, University of Chittagong, Bangladesh) ,  Rezazadeh Ali A (Microwave and Communication System Group, School of EEE, The University of Manchester, UK) ,  Gaquiere Christophe (Institute of Electronic, Microelectronic and Nanotechnology (IEMN), The University of Lille, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EuMIC  ページ： 33-36  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異常と温度上のGaNとGaAsベース高電子移動度トランジスタにおけるしきい値電圧シフトを報告し,ウエハ測定を用いて分析した。不一致が注目されている最も顕著に二デバイス技術のしきい値電圧の熱傾向は完全に対照的なことを示した。この異常は,二次元電子ガスのシートキャリア密度のようなデバイスの他のパラメータのための拡張した。さらに温度による半導体ヘテロ接合の障壁不均一性とバンドオフセットは二つの競合デバイス技術の間のいくつかの貴重な洞察を提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  不均一性 ,  HEMT ,  二次元電子ガス ,  バンドオフセット ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *閾値電圧 ,  *閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  EMT ,  しきい値電圧シフト