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J-GLOBAL ID：201802217990927438   整理番号：18A0422394

GaAs(211)B基板上の閃亜鉛鉱型MgSの分子ビームエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Molecular beam epitaxial growth of zinc blende MgS on GaAs (2 1 1)B substrates

著者 (5件)： Zhu J. (School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom) ,  Eldose N.M. (School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom) ,  Mavridi N. (School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom) ,  Prior K.A. (School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom) ,  Moug R.T. (School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 485  ページ： 86-89  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,分子ビームエピタクシーによりGaAs(211)B基板上の閃亜鉛鉱型(ZB)MgSの成長を報告した。(211)B ZnSeの初期成長を240°Cで行ったと同じ温度で成長させた(100)ZnSeに匹敵する品質のであることを示した。ZnSeバッファ層上に堆積したMgSの試料は,良好な品質の2次元成長を示した。,ZnSeおよびZnCdSeの多層構造をエピタキシャルリフトオフ(ELO)前後の構造と光学的試験のための(211)B MgS層上に堆積した。光ルミネセンス(PL)分光法ELOとX線スペクトル前と後に強い発光を示したが単一の連続閃亜鉛鉱相の存在を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  X線スペクトル ,  バッファ層 ,  *閃亜鉛鉱 ,  光ルミネセンス ,  多層構造 ,  *ヒ化ガリウム ,  *MBE成長 ,  セレン化亜鉛
準シソーラス用語： エピタキシャルリフトオフ ,  二次元成長 ,  初期成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A3MBE ,  A1閃亜鉛鉱 ,  B1MgS ,  A1(211)B ,  A3ELO ,  B2II-VI

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  閃亜鉛鉱 ,  分子ビームエピタキシャル成長