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J-GLOBAL ID:201802218163953509   整理番号:18A1996999

アナターゼ二酸化チタン中のドープしたアルミニウム周辺のUV生成キャリアの挙動と局所構造【JST・京大機械翻訳】

Behavior of UV-generated carriers and local structure around doped aluminum in anatase titanium dioxide
著者 (5件):
資料名:
巻: 124  ページ: 137-143  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0202A  ISSN: 0022-3697  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Alをドープしたアナターゼ二酸化チタン単結晶と高度にAlをドープした粉末を,それぞれ化学気相輸送とゾル-ゲル法により調製した。単結晶と粉末の電子常磁性共鳴(EPR)測定は,UV誘起キャリアの特性挙動を明らかにした。Alと相互作用する光生成正孔から生じるUV誘起EPR六重項信号を単結晶と粉末の両方で観測した。EPR測定で観測された六重項信号の粉末パターンのシミュレーションは,粉末中のトラップされた正孔の周りの局所構造が単結晶のそれと同一であることを示した。UV照射下の信号強度とUV照射後の六重項の寿命はAl含有量の増加と共に減少した。粉末のX線回折パターンのRietveld解析は,ドープしたAlがTiを置換し,格子体積がAl含有量の増加と共に減少することを明らかにした。粉末のRamanバンドはAl含有量の増加と共に高い周波数にシフトした。これらの実験結果に基づいて,Al含有量に及ぼすドープAl周辺の局所構造変化の依存性の観点から,光生成正孔の機構と安定性を議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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無機化合物のルミネセンス  ,  半導体薄膜 

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