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J-GLOBAL ID：201802218167954260   整理番号：18A2075347

ボトムホモおよびヘテロInGaAsNサブセルの比較研究による照射誘起欠陥による3J InGaP/InGaAs/InGaAsN太陽電池の劣化解析【JST・京大機械翻訳】

Degradation analysis of 3J InGaP/InGaAs/InGaAsN solar cell due to irradiation induced defects with a comparative study on bottom homo and hetero InGaAsN subcell

著者 (4件)： Sukeerthi M. (IIIT Chittoor, Sri City, Andhra Pradesh 517646, India) ,  Kotamraju Siva (IIIT Chittoor, Sri City, Andhra Pradesh 517646, India) ,  Meetei Raghu (U. R. Rao Satellite Centre, Bengaluru 560017, India) ,  Rao Prabhu Nireekshana (U. R. Rao Satellite Centre, Bengaluru 560017, India)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 174  ページ： 728-734  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三重接合In_0.49Ga_0.51P/In_0.01Ga_0.99As/In_0.30Ga_0.70As_0.98N_0.02太陽電池における照射誘起トラップの影響を,有限要素解析を用いて研究した。全3J太陽電池構造を,3番目または底部サブセルとして,ホモおよびヘテロInGaAsN構造で別々にシミュレーションした。下部InGaAsNヘテロ構造をもつ高効率3J InGaP/InGaAs/InGaAsN太陽電池を,照射誘起トラップ準位を含めて解析した。トラップ準位は,室温で電子/cm~2において1×10~14~1×10~16のフルエンス範囲で1MeV電子照射に対応した。著者らは,中間細胞におけるトラップがより多くの分解を引き起こし,続いて底部細胞とそれからトップ細胞が続くことを実現した。太陽電池パラメータ(J_sc,V_ocおよびη)の分解の開始は,トラップ濃度1×10~13cm-3で始まり,一方,より多くの分解は1×10~16cm-3を超えて起こる。1×10~16cm~3のトラップ濃度で,太陽電池設計を,サブセル間の電流整合を達成するために最適化した。底部ヘテロ構造を用いて1-太陽(AM0スペクトル)で36%変換効率を得たが,1×10~16cm~3トラップ濃度と104cm/s表面再結合速度の導入は,電流整合後に24.3%に増加した20.8%変換効率をもたらした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フルエンス ,  パラメータ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  電流 ,  接合 ,  *太陽 ,  窒化物 ,  モデリング ,  *HOMO ,  電子照射 ,  最適化 ,  スペクトル ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 変換効率 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： III-V窒化物太陽電池 ,  深い準位トラップ ,  少数キャリア寿命 ,  半導体デバイスのモデリング

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (11件)： ボトム ,  ホモ ,  サブ ,  セル ,  研究 ,  誘起 ,  欠陥 ,  InGaP ,  InGaAs ,  太陽電池 ,  解析