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J-GLOBAL ID：201802218289657477   整理番号：18A0623829

しきい値電圧と飽和電流上のAlGaN/GaN MIS FinFETのためのコンパクトな物理モデル【Powered by NICT】

Compact Physical Models for AlGaN/GaN MIS-FinFET on Threshold Voltage and Saturation Current

著者 (3件)： Ren Kailin (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Liang Yung C. (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Huang Chih-Fang (Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 4  ページ： 1348-1354  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN MIS FinFETのしきい値電圧とドレイン飽和電流の物理モデルは,GaN MIS FinFETベース設計のためのガイドラインを提供するためにTCADシミュレーションによって確立し,検証した。側壁フィンゲートによる二次元電子ガス(2DEG)チャネルの空乏効果は適切な境界条件を持つPoisson方程式の数値解に基づいてモデル化する。ゲートバイアスによってFermi準位より上の持ち上げられた2DEG領域での伝導バンドはしきい値電圧を得るためにモデル化した。フィン幅の関数としてデバイス飽和電流,2DEGチャネル電流と側壁チャネル電流をもモデル化した。閾値電圧と飽和電流に及ぼす素子設計パラメータの影響を検証を提案したモデルによって解析した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  チャネル ,  *電流 ,  モデリング ,  *モデル ,  Poisson方程式 ,  フィン ,  二次元電子ガス ,  伝導バンド
準シソーラス用語： TCAD ,  *物理モデル ,  *FinFET ,  *AlGaN/GaN ,  *飽和電流 ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： しきい値電圧 ,  飽和電流 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  FinFET ,  物理モデル