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J-GLOBAL ID：201802218434934963   整理番号：18A0588572

シリコン-オン-絶縁体MOSFETにおける界面結合効果に基づいた新しい光検出器【Powered by NICT】

A novel photodetector based on the interface coupling effect in silicon-on-insulator MOSFETs

著者 (8件)： Deng J. N. (State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China) ,  Shao J. H. (State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China) ,  Lu B. R. (State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China) ,  Chen Y. F. (State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China) ,  Zaslavsky A. (Department of Physics and School of Engineering, Brown University, Providence, RI 02912, USA) ,  Cristoloveanu S. (IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec, BP257, Grenoble 38016, France) ,  Bawedin M. (IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec, BP257, Grenoble 38016, France) ,  Wan J. (State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上に構築された応答性記録をもつ新しいCMOSコンパチブル光検出器を報告した。動作機構を,SOI MOSFETにおける界面結合効果に基づく,単純化したプロセスフローを用いて作製したプロトタイプデバイスにおけるTCADシミュレーションと実験測定の両方により確認された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  *絶縁体 ,  簡素化 ,  応答特性 ,  CMOS ,  *界面 ,  シミュレーション ,  *光検出器
準シソーラス用語： TCAD ,  プロセスフロー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  絶縁体 ,  MOSFET ,  界面 ,  光検出器