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J-GLOBAL ID：201802218500107758   整理番号：18A1903318

SAG-HVPEにおけるGaN 3-D微細構造の成長速度論を調整することによる結晶工学【JST・京大機械翻訳】

Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE

著者 (8件)： Avit Geoffrey (Universite Clermont Auvergne, CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, F-63000 Clermont-Ferrand, France. [e-mail]) ,  Zeghouane Mohammed ,  Andre Yamina ,  Castelluci Dominique ,  Gil Evelyne ,  Bae Si-Young ,  Amano Hiroshi ,  Trassoudaine Agnes
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 20  号： 40  ページ： 6207-6213  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN3-D微細構造の成長をSAG-HVPEにより調べた。この運動論的に制御されたプロセスの特性を利用して,SAG-HVPEにおける3D GaNプリズムとピラミッドの成形を制御する主要な実験パラメータと物理的機構を強調した。N-極性AlN/Si(100)およびGa-極性GaN/Si(111)基板上で行った成長実験は,与えられた基板極性に対してピラミッドからプリズム状形状へのスイッチの方法への洞察も提供した。GaNロッドのアスペクト比は,成長中にさらに導入されたHCl分圧により調整できた。時間が経過するにつれて,結晶成長速度が表面積の増加とともに変化するので,物質輸送と表面速度の両方の影響を検討した。成長前のアンモニア処理を,H_2不動態化によるr面のブロッキングを目的として,GaNロッドの形態を調整するために提案した。個々のGaNロッドについて行ったRaman分光法は,関連する歪場を示さず,ロッドと最先端のバルクGaNの間の構造的差異を示さなかった。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： パラメータ ,  基板 ,  スイッチ ,  *微細構造 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  アスペクト比 ,  アンモニア ,  不動態化 ,  プリズム ,  形態 ,  角錐 ,  極性 ,  分圧 ,  *三次元 ,  改変

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： HVPE ,  GaN ,  微細構造 ,  成長速度論 ,  結晶工学