文献

J-GLOBAL ID：201802218792577904   整理番号：18A1028316

多接合太陽電池用の高指数Si基板上のGaAsの結晶成長【JST・京大機械翻訳】

Crystal growth of GaAs on high indexed Si substrates for multi-junction solar cells

著者 (4件)： Harada Ittetsu (Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen Kibanadai Nishi, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Suzuki Hidetoshi (Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen Kibanadai Nishi, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Ikari Tetsuo (Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen Kibanadai Nishi, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Fukuyama Atsuhiko (Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen Kibanadai Nishi, Miyazaki 889-2192, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に成長させたGaAs層の結晶品質と表面形態に及ぼすSi表面の表面配向の影響を調べた。Si(001),(113)及び(114)ウエハを基板として用い,GaAs結晶を分子線エピタクシーを用いて基板上に堆積した。成長前に,基板を赤外加熱装置を用いて超高真空容器中で熱的に清浄化した。GaAs/Si(113)の結晶品質と表面粗さは他の試料のそれらより良かった。これは,GaAs/Siの結晶品質がSi(113)基板を用いて改善できることを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤外線加熱 ,  MBE成長 ,  *ケイ素 ,  結晶成長 ,  *結晶 ,  *ヒ化ガリウム ,  超高真空
準シソーラス用語： 表面配向 ,  表面形態 ,  結晶品質 ,  *シリコンウエハ ,  *タンデム太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多接合太陽電池 ,  指数 ,  Si基板 ,  GaAs ,  結晶成長