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J-GLOBAL ID：201802218812686944   整理番号：18A0930342

いくつかのオフ角m面GaN基板上にMOVPE層で作製したm面GaN Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】

m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates

著者 (14件)： Tanaka Atsushi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8601 Nagoya, Japan) ,  Tanaka Atsushi (National Institute for Materials Science, 1-1, Namiki, 305-0044 Tsukuba, Japan) ,  Ando Yuto (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Nagamatsu Kentaro (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8601 Nagoya, Japan) ,  Deki Manato (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8601 Nagoya, Japan) ,  Cheong Heajeong (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8601 Nagoya, Japan) ,  Ousmane Barry (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Kushimoto Maki (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Nitta Shugo (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8601 Nagoya, Japan) ,  Honda Yoshio (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8601 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8601 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (National Institute for Materials Science, 1-1, Namiki, 305-0044 Tsukuba, Japan) ,  Amano Hiroshi (Akasaki Research Center, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (Venture Business Laboratory, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603 Nagoya, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 9  ページ： e1700645  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaN m面Schottky障壁ダイオードを,いくつかのオフ角度窒化ガリウム(GaN)基板上に有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により作製し,不純物混入のオフカット角度依存性を調べた。基板上のMOVPE層は[000-1]方向に向かって5°傾き,非常に低い不純物取込を持つことを示した。これらの結果はm面パワーデバイスの作製に重要な示唆を与える。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  角度依存性 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *MOCVD ,  不純物 ,  *窒化ガリウム ,  *ダイオード
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *オフ角 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ファセット ,  GaN ,  非極性表面 ,  Schottky障壁 ,  Schottkyダイオード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： オフ角 ,  GaN ,  MOVPE ,  作製 ,  Schottky障壁ダイオード