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J-GLOBAL ID：201802218882302155   整理番号：18A2022263

単層HfSe_2のデバイス性能評価:高κHfO_2と互換性のある新しい層状材料【JST・京大機械翻訳】

Device Performance Assessment of Monolayer HfSe₂: A New Layered Material Compatible With High- $¥kappa$ HfO₂

著者 (2件)： AlMutairi AbdulAziz (Department of Electrical and Computer Engineering, Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, Waterloo, Canada) ,  Yoon Youngki (Department of Electrical and Computer Engineering, Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, Waterloo, Canada)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 11  ページ： 1772-1775  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HFSE_2は,自然に適合するHfO_2の存在により,電子デバイスのための魅力的な2-D材料である。密度汎関数理論と非平衡Green関数を用いて,デバイス応用のための単層HFSE_2を調べた。伝導および価電子帯における異なる有効質量および非対称状態密度にもかかわらず,興味深いことに,n型およびp型素子の両方は,大きなON電流(>1mA/μm),急峻なスイッチング(<70mV/dec)および高オン/オフ電流比(>10~7)をもつほぼ同一の移動特性を示した。チャネル長(L_ch)と酸化物厚さ変化による著者らのスケーリング研究によると,HFSE_2FETはL_ch≧15nmで短チャネル効果に対して大きな免疫を示したが,薄いゲート誘電体でもサブ10nmチャネルでのサブ閾値スイングとドレイン誘起障壁低下で著しい劣化を示した。さらに,HFSE_2FETの固有性能を評価し,速度と電力消費の両方を同時に考慮した論理デバイスに対するHFSE_2の有望な可能性を明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *互換性 ,  密度汎関数法 ,  非対称性 ,  状態密度 ,  電力消費 ,  スイッチング ,  チャネル ,  論理素子 ,  電流 ,  有効質量 ,  価電子バンド ,  ゲート絶縁膜 ,  *単一層
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  非平衡Green関数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  性能評価 ,  高 ,  互換性 ,  層状材料